参数资料
型号: NTGS5120PT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 111 毫欧 @ 2.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 18.1nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 942pF @ 30V
功率 - 最大: 600mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-74,SOT-457
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 标准包装
其它名称: NTGS5120PT1GOSDKR
NTGS5120P
TYPICAL CHARACTERISTICS
3.5
3.0
2.5
? 3.0 V
? 10 V
? 3.2 V
? 2.8 V
? 4.5 V
T J = 25 ° C
5.0
4.0
V DS ≥ ? 10 V
2.0
1.5
? 2.6 V
3.0
2.0
1.0
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
? 2.4 V
V GS = ? 2.2 V
2.5
3.0
1.0
0
0.4
0.9
1.4
T J = ? 55 ° C
1.9
2.4
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2.9 3.4
3.9
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.20
0.18
I D = ? 2.9 A
T J = 25 ° C
0.10
0.09
T J = 25 ° C
V GS = ? 4.5 V
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.08
0.07
0.06
0.05
V GS = ? 10 V
0.04
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
0.04
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
10,000
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
1.4
I D = ? 2.9 A
V GS = ? 4.5 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1.0
0.8
100
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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