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参数资料
| 型号： | NTHC5513T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 1206A |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | chipfet™ |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTHC5513T1GOSDKR |
NTHC5513
PACKAGE DIMENSIONS
ChipFET
S
L
8
1
7
2
A
6
3
G
5
4
D
B
C
M
J
0.05 (0.002)
CASE 1206A?03
ISSUE E
K
5 6
4 3
7
2
8
1
STYLE 2:
PIN 1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
SOURCE 1
GATE 1
SOURCE 2
GATE 2
DRAIN 2
DRAIN 2
DRAIN 1
DRAIN 1
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MOLD GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.13 MM
PER SIDE.
4. LEADFRAME TO MOLDED BODY OFFSET IN
HORIZONTAL AND VERTICAL SHALL NOT EXCEED
0.08 MM.
5. DIMENSIONS A AND B EXCLUSIVE OF MOLD GATE
BURRS.
6. NO MOLD FLASH ALLOWED ON THE TOP AND
BOTTOM LEAD SURFACE.
7. 1206A?01 AND 1206A?02 OBSOLETE. NEW
STANDARD IS 1206A?03.
MILLIMETERS
INCHES
DIM
MIN MAX
MIN MAX
A
2.95 3.10
0.116 0.122
B
1.55 1.70
0.061 0.067
C
1.00 1.10
0.039 0.043
D
0.25 0.35
0.010 0.014
G
0.65 BSC
0.025 BSC
J
0.10 0.20
0.004 0.008
K
0.28 0.42
0.011 0.017
L
0.55 BSC
0.022 BSC
5 ° NOM
5 ° NOM
M
S
1.80 2.00
0.072 0.080
http://onsemi.com
9
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHC5513T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DUAL N/P CHANNEL MOSFET 20V 1206A |
| NTHC60A3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Crystal Clock Oscillator |
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