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参数资料
| 型号： | NTHD3101FT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 680pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHD3101F
TYPICAL SCHOTTKY PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
10
1
T J = 150 ° C
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
0.1
T J = ? 55 ° C
0.1
T J = 25 ° C
0.20
0.40
0.60
0.80
0.20
0.40
0.60
0.80
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Typical Forward Voltage
V F , MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Forward Voltage
1E ? 3
T J = 150 ° C
10E+0
T J = 150 ° C
100E ? 6
10E ? 6
1E ? 6
T J = 100 ° C
1E+0
100E ? 3
10E ? 3
T J = 100 ° C
100E ? 9
10E ? 9
T J = 25 ° C
1E ? 3
100E ? 6
T J = 25 ° C
0
10
20
0
10
20
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Typical Reverse Current
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Maximum Reverse Current
3.5
3
dc
freq = 20 kHz
1.8
1.6
2.5
2
1.5
1
0.5
square wave
Ipk/Io = p
Ipk/Io = 5
Ipk/Io = 10
Ipk/Io = 20
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
Ipk/Io = p
Ipk/Io = 5
Ipk/Io = 10
Ipk/Io = 20
square wave
dc
0
25
45
65
85
105
125
145
165
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
T L , LEAD TEMPERATURE ( ° C)
Figure 15. Current Derating
http://onsemi.com
5
I O , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 16. Forward Power Dissipation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD3102CT1G | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| NTHD3133PFT3G | MOSFET P-CH SGL 20V CHIPFET |
| NTHD4102PT3G | MOSFET P-CH DUAL 20V CHIPFET |
| NTHD4401PT3G | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET |
| NTHD4502NT1 | MOSFET N-CHAN DUAL 30V CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD3102C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTHD3102CT1G | 功能描述:MOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3133PF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, FETKY, P-Channel, -4.4 A, with 3.7 A Schottky Barrier Diode, ChipFET? |
| NTHD3133PFT1G | 功能描述:MOSFET PFET FETKY 20V CHIPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD3133PFT3G | 功能描述:MOSFET -20V -4.4A P-CHANNEL W/3.7A SCHOTTKY RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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