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参数资料
| 型号： | NTHD4102P |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET 20 V, Dual P-Channel(20V，双P通道的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 功率MOSFET 20，双P V型频道（20V的，双P通道的功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | NTHD4102P |
NTHD4102P
http://onsemi.com
3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
125
°
C
0
10
5
8
6
3
2
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
D
D
6
2
0
1
Figure 1. OnRegion Characteristics
0
1.5
1
2
6
4
2
0.5
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0
2.5
Figure 2. Transfer Characteristics
0.04
6
0.08
0
Figure 3. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I
D,
DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
D
D
D
Figure 4. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
T
J
= 25
°
C
0.2
2
3
T
J
= 55
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 4.5 V
4
25
°
C
1.4 V
1.6 V
2.4 V
1.8 V
7
8
0.12
V
GS
= 10 V to 2.8 V
3
8
10
V
DS,
DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
10000
0.1
D
,
V
GS
= 4.5 V
1000
1
100
V
GS
= 2.5 V
4
6
4
8
0.16
5
T
J
= 100
°
C
T
J
= 125
°
C
2
9
7
5
1
3
4
9
5
3
1
7
50
0
25
25
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
50
125
100
75
150
R
D
D
R
1.5
V
GS
= 0 V
3
3.5
0.02
0.06
0.18
0.1
0.14
4
5
7
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