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参数资料
| 型号： | NTHD4102P |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET 20 V, Dual P-Channel(20V，双P通道的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 功率MOSFET 20，双P V型频道（20V的，双P通道的功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | NTHD4102P |
NTHD4102P
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
ChipFET
CASE 1206A03
ISSUE G
0.457
0.018
2.032
0.08
0.635
0.025
0.66
0.026
0.711
0.028
mm
inches
SCALE 20:1
0.457
0.018
2.032
0.08
0.635
0.025
0.66
0.026
0.254
0.010
mm
inches
SCALE 20:1
1.092
0.043
0.178
0.007
Basic
Style 2
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
STYLE 2:
PIN 1. SOURCE 1
2. GATE 1
3. SOURCE 2
4. GATE 2
5. DRAIN 2
6. DRAIN 2
7. DRAIN 1
8. DRAIN 1
E
A
b
e
e1
D
1
2
3
4
8
7
6
5
c
L
1
2
3
4
8
7
6
5
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MOLD GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.13 MM PER SIDE.
4. LEADFRAME TO MOLDED BODY OFFSET IN HORIZONTAL
AND VERTICAL SHALL NOT EXCEED 0.08 MM.
5. DIMENSIONS A AND B EXCLUSIVE OF MOLD GATE BURRS.
6. NO MOLD FLASH ALLOWED ON THE TOP AND BOTTOM LEAD
SURFACE.
0.05 (0.002)
DIM
A
b
c
D
E
e
e1
L
H
E
MIN
1.00
0.25
0.10
2.95
1.55
NOM
1.05
0.30
0.15
3.05
1.65
0.65 BSC
0.55 BSC
0.35
1.90
5
°
NOM
MAX
1.10
0.35
0.20
3.10
1.70
MIN
0.039
0.010
0.004
0.116
0.061
MILLIMETERS
INCHES
NOM
0.28
1.80
0.42
2.00
0.011
0.071
0.041
0.012
0.006
0.120
0.065
0.025 BSC
0.022 BSC
0.014
0.075
5
°
NOM
0.043
0.014
0.008
0.122
0.067
0.017
0.079
MAX
H
E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD4401PT1 | Power MOSFET −20 V, −3.0 A, Dual P−Channel, ChipFET |
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| NTHD4401P | Power MOSFET 20 V, Dual P-Channel, 2.1 A(2.1A，20V，双P通道的功率MOSFET) |
| NTHD4P02F | Power MOSFET and Schottky Diode |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD4102P_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET |
| NTHD4102PT1 | 功能描述:MOSFET -20V -4.1A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4102PT1G | 功能描述:MOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4102PT3G | 功能描述:MOSFET PFET 20V 4.8A 80M RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4401P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -3.0 A, Dual P-Channel, ChipFET |
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