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参数资料
| 型号： | NTHD4102PT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHD4102P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1000
900
T J = 25 ° C
5
QT
800
700
600
C iss
4
3
500
400
300
2
Q1
Q2
200
100
0
0 2
? V GS ? V DS
C rss
4
6
8
10
12
14
16
C oss
18
20
1
0
0
1
I D = ? 2.7 A
T J = 25 ° C
2 3 4 5 6 7
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
8
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance Variation
Figure 7. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage vs. Total Gate Charge
1000
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.0 A
V GS = ? 4.5 V
5
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
3
10
t d(off)
t f
t r
t d(on)
2
1
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
100
10
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100 m s
1
V GS = ? 8 V
SINGLE PULSE
1 ms
10 ms
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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