型号: | NTHD4401PT1 |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | Power MOSFET −20 V, −3.0 A, Dual P−Channel, ChipFET |
中文描述: | 2100 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | CASE 1206A-03, CHIPFET-8 |
文件页数: | 8/8页 |
文件大小: | 66K |
代理商: | NTHD4401PT1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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NTHD4401PT1G | Power MOSFET −20 V, −3.0 A, Dual P−Channel, ChipFET |
NTHD4401P | Power MOSFET 20 V, Dual P-Channel, 2.1 A(2.1A,20V,双P通道的功率MOSFET) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NTHD4401PT1G | 功能描述:MOSFET -20V -3A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NTHD4401PT3 | 功能描述:MOSFET -20V -3A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NTHD4401PT3G | 功能描述:MOSFET -20V -3A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
NTHD4502N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N−Channel ChipFET |
NTHD4502NT1 | 功能描述:MOSFET 30V 3.9A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |