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参数资料
| 型号： | NTHD4401PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 155 毫欧 @ 2.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTHD4401PT1GOSCT |
NTHD4401P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
4
V GS = ?6 V to ?3 V
V GS = ?2.4 V
?2 V
T J = 25 ° C
4
V DS ≥ ?10 V
?2.2 V
3
2
?1.8 V
3
2
1
0
?1.6 V
?1.4 V
?1.2 V
1
0
T C = ?55 ° C
25 ° C
100 ° C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.5
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.25
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.4
0.3
I D = ?2.1 A
T J = 25 ° C
0.225
0.2
T J = 25 ° C
V GS = ?2.5 V
0.175
0.2
0.15
0.1
0
0.125
0.1
V GS = ?4.5 V
1
2
3
4
5
6
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
1.6
I D = ?2.1 A
V GS = ?4.5 V
1.4
1.2
1
0.8
1.2
1
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I D = ?1.0 A
V GS = ?1.8 V
0.6
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0.8
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. On?Resistance Variation with
Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FVXO-LC73BR-150 | OSC 150 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| EF12.2420.3110.01 | MOD PWR ENTRY STD 12A 2PL QC PNL |
| ECW-F4334RHB | CAP FILM 0.33UF 400VDC RADIAL |
| FVXO-LC73BR-155 | OSC 155 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| FXO-HC735-176 | OSC 176 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD4401PT3 | 功能描述:MOSFET -20V -3A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4401PT3G | 功能描述:MOSFET -20V -3A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4502N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N−Channel ChipFET |
| NTHD4502NT1 | 功能描述:MOSFET 30V 3.9A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4502NT1G | 功能描述:MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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