- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18311 > NTHD4502NT1G (ON Semiconductor)MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTHD4502NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET |
| 产品目录绘图： | MOSFET ChipFET |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 2.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 640mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTHD4502NT1GOSDKR |
NTHD4502N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V SD
t RR
Q RR
t RR
Q RR
V GS = 0 V, I S = 2.5 A
V GS = 0 V, I S = 2.9 A,
dI S /dt = 100 A/ m s
V GS = 0 V, I S = 1.0 A,
dI S /dt = 100 A/ m s
0.85
8.6
4.0
8.4
4.0
1.2
V
ns
nC
ns
nC
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 7)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
6.5
12
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
t d(ON)
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 10 V, V DD = 24 V,
I D = 1 A, R G = 6 W
V GS = 4.5 V, V DD = 24 V,
I D = 2.9 A, R G = 2.5 W
5.4
14.9
1.8
7.8
12.6
9.6
2.8
10
25
5.0
ns
7. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32652A1722J | FILM CAP 7.2NF 5% 1600V MKP |
| B32621A4223K | FILM CAP 0.0220UF 10% 400V |
| B32621A392K | FILM CAP 0.0039UF 10% 1KV |
| B32620J332J | FILM CAP 0.0033UF 5% 1KV |
| 34ASP18T7V3RT | TOG MINI SPDT O-N-O T VB LF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHD4508N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET |
| NTHD4508NT1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.1A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4508NT1G | 功能描述:MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHD4N02 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
| NTHD4N02F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。