参数资料
型号: NTHD5904NT3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
产品变化通告: Product Obsolescence 06/Oct/2006
标准包装: 10,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 65 毫欧 @ 3.3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 465pF @ 16V
功率 - 最大: 640mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: ChipFET?
包装: 带卷 (TR)
NTHD5904N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
11
10
9
5V
V GS = 4 V
V GS = 3 V
2.4 V
T J = 25 ° C
1.8 V
11
10
9
V DS ≥ 10 V
8
7
6
5
4
2V
1.6 V
8
7
6
5
4
3
1.4 V
3
125 ° C
2
1
0
1.2 V
2
1
0
25 ° C
T J = ?55 ° C
0
0.5
1
1.5
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.08
0.07
I D = 3.3 A
T J = 25 ° C
0.06
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
0.06
0.05
0.04
0.05
0.04
V GS = 4.5 V
0.03
0.02
0.03
1
2
3
4
5
6
2
3
4
5
6
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
1.6
I D = 3.3 A
10000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.4
V GS = 2.5 V
T J = 150 ° C
1000
1.2
1.0
0.8
0.6
100
10
T J = 100 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
5
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
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