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参数资料
| 型号： | NTHD5904NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 465pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 640mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHD5904N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1200
1000
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
V DS
Q G
V GS
10
8
800
600
3
6
400
2
Q GS
Q GD
4
200
0
C rss
C oss
1
0
I D = 3.3 A
T J = 25 ° C
2
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
0
1
2 3 4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
5
6
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
100
6
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
V DD = 16 V
I D = 3.3 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
t f
5
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
1
t d(on)
3
2
1
0
1
10
100
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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