- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录363711 > NTHS2101PT1G (ON SEMICONDUCTOR) −8.0 V, −7.5 A P−Channel ChipFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTHS2101PT1G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | −8.0 V, −7.5 A P−Channel ChipFET |
| 中文描述： | 5.4 A, 8 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | NTHS2101PT1G |
NTHS2101P
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
16
12
8
4
0
0
1
2
3
4
5
6
2 V
16
12
8
4
0
0
0.5
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
1.0
1.5
2.0
2.5
T
J
= 55
°
C
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. OnRegion Characteristics
V
GS
= 8 thru 2.4 V
1.8 V
1.6 V
1.4 V
T
J
= 25
°
C
D
,
D
,
3.0
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
0.08
0.06
0.04
0.02
0
2
4
6
8
10
12
20
1.6
1.4
1.2
0.8
0.6
50
25
0
25
50
125
V
GS
= 4.5 V
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 4. OnResistance Variation with
Temperature
V
GS
= 1.8 V
Figure 3. OnResistance versus Drain Current
and Gate Voltage
R
D
,
R
D
,
(
150
10,000
1000
100
10
1
0
2
4
6
8
3500
3000
1000
500
0
8
6
4
2
0
2
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Capacitance Variation
V
GS
= 0 V
D
,
C
4
T
J
= 25
°
C
14
16
18
0.10
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
1.0
75
100
T
J
= 125
°
C
T
J
= 100
°
C
6
8
1500
2000
2500
5000
4500
4000
C
iss
C
rss
C
oss
C
iss
C
rss
V
GS
V
DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHS4101P | 20 V, P-Channel Power MOSFET ChipFET Single Package(20V，单P通道，ChipFET封装的功率MOSFET) |
| NTHS4501N | Power MOSFET 30V, 6.7A, Single N Channel, ChipFET Package(30V, 6.7A功率MOSFET) |
| NTHS5402T1 | Power MOSFET N-Channel ChipFET TM(N沟道ChipFET TM功率MOSFET) |
| NTHS5441 | −20 V, −5.3 A, P−Channel ChipFET |
| NTHS5441T1 | −20 V, −5.3 A, P−Channel ChipFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHS25680RJ | 制造商:MACOM 制造商全称:Tyco Electronics 功能描述:Aluminium Housed Power Resistors |
| NTHS4101P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFET-TM |
| NTHS4101P/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 20 V Single P-Channel ChipFET ? |
| NTHS4101P_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFET |
| NTHS4101PT1 | 功能描述:MOSFET -20V -6.7A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。