- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录363711 > NTHS2101PT1G (ON SEMICONDUCTOR) −8.0 V, −7.5 A P−Channel ChipFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTHS2101PT1G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | −8.0 V, −7.5 A P−Channel ChipFET |
| 中文描述： | 5.4 A, 8 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | NTHS2101PT1G |
NTHS2101P
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
ChipFET
CASE 1206A03
ISSUE E
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. DRAIN
4. GATE
5. SOURCE
6. DRAIN
7. DRAIN
8. DRAIN
B
S
C
D
G
L
A
1
2
3
4
8
7
6
5
M
J
K
1
2
3
4
8
7
6
5
DIM
A
B
C
D
G
J
K
L
M
S
MIN
2.95
1.55
1.00
0.25
MAX
3.10
1.70
1.10
0.35
MIN
0.116
0.061
0.039
0.010
MAX
0.122
0.067
0.043
0.014
INCHES
MILLIMETERS
0.65 BSC
0.10
0.28
0.55 BSC
5 NOM
0.025 BSC
0.004
0.011
0.022 BSC
5 NOM
0.072
0.20
0.42
0.008
0.017
1.80
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MOLD GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.13 MM
PER SIDE.
4. LEADFRAME TO MOLDED BODY OFFSET IN
HORIZONTAL AND VERTICAL SHALL NOT EXCEED
0.08 MM.
5. DIMENSIONS A AND B EXCLUSIVE OF MOLD GATE
BURRS.
6. NO MOLD FLASH ALLOWED ON THE TOP AND
BOTTOM LEAD SURFACE.
7. 1206A01 AND 1206A02 OBSOLETE. NEW
STANDARD IS 1206A03.
0.05 (0.002)
2.00
0.080
Basic
Style 1
mm
inches
0.178
0.007
2.032
0.08
1.727
0.068
0.66
0.026
0.711
0.028
0.457
0.018
0.457
0.018
2.032
0.08
0.635
0.025
0.66
0.026
0.711
0.028
mm
inches
SCALE 20:1
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINTS*
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHS4101P | 20 V, P-Channel Power MOSFET ChipFET Single Package(20V，单P通道，ChipFET封装的功率MOSFET) |
| NTHS4501N | Power MOSFET 30V, 6.7A, Single N Channel, ChipFET Package(30V, 6.7A功率MOSFET) |
| NTHS5402T1 | Power MOSFET N-Channel ChipFET TM(N沟道ChipFET TM功率MOSFET) |
| NTHS5441 | −20 V, −5.3 A, P−Channel ChipFET |
| NTHS5441T1 | −20 V, −5.3 A, P−Channel ChipFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHS25680RJ | 制造商:MACOM 制造商全称:Tyco Electronics 功能描述:Aluminium Housed Power Resistors |
| NTHS4101P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFET-TM |
| NTHS4101P/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 20 V Single P-Channel ChipFET ? |
| NTHS4101P_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFET |
| NTHS4101PT1 | 功能描述:MOSFET -20V -6.7A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。