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参数资料
| 型号： | NTHS4101P |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | 20 V, P-Channel Power MOSFET ChipFET Single Package(20V，单P通道，ChipFET封装的功率MOSFET) |
| 中文描述： | 20五，P沟道功率MOSFET ChipFET的单包（20V的，单P通道，ChipFET的封装的功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | NTHS4101P |
NTHS4101P
http://onsemi.com
3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
125
°
C
0
10
5
8
6
3
2
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
D
D
6
2
0
1
Figure 1. OnRegion Characteristics
0
10
1.5
1
2
6
4
2
0.5
0
2.5
Figure 2. Transfer Characteristics
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0.02
8
10
0.04
0
Figure 3. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I
D,
DRAIN CURRENT (AMPS)
R
D
D
D
D
Figure 4. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 5. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
T
J
= 25
°
C
0.1
2
4
T
J
= 55
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 4.5 V
4
25
°
C
1.2 V
16
1.4 V
1.6 V
1.8 V
7
8
0.06
V
GS
= 10 V to 2.4 V
0
8
10
V
DS,
DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
10000
0.1
D
,
V
GS
= 4.5 V
1000
1
100
V
GS
= 2.5 V
4
6
4
8
0.08
6
T
J
= 100
°
C
T
J
= 125
°
C
2
9
7
5
1
3
3
9
5
3
1
7
14
12
V
GS
= 1.8 V
50
0
25
25
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
50
125
100
75
150
R
D
D
R
1.5
V
GS
= 0 V
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