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参数资料
| 型号： | NTHS4501NT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 462pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHS4501N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Breakdown Voltage
Drain?to?Source Breakdown Voltage
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = 250 m A
30
31
30
V
mV/ ° C
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V, V DS = 24 V
T J = 25 ° C
1.0
m A
T J = 125 ° C
10
Gate?to?Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
V GS(TH)
V GS = V DS , I D = 250 m A
1.0
1.6
2.0
V
Negative Threshold
V GS(TH) /T J
4.0
mV/ ° C
Temperature Coefficient
Drain?to?Source On?Resistance
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 4.9 A
30
38
m W
V GS = 4.5 V, I D = 3.9 A
40
50
Forward Transconductance
g FS
V DS = 10 V, I D = 4.9 A
15
S
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
C ISS
462
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz,
V DS = 24 V
137
32
Total Gate Charge
Q G(TOT)
9.1
nC
Threshold Gate Charge
Gate?to?Source Charge
Gate?to?Drain Charge
Q G(TH)
Q GS
Q GD
V GS = 10 V, V DS = 15 V,
I D = 4.9 A
0.7
1.3
1.8
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Turn?On Delay Time
t d(on)
4.0
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V, V DS = 15 V,
I D = 1.0 A, R G = 6.0 W
11
17
7.5
DRAIN?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V, I S = 1.1 A
T J = 25 ° C
0.75
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
19.1
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, I S = 1.1 A,
dI S /dt = 90 A/ m s
11.9
7.3
Reverse Recovery Charge
Q RR
13
nC
2. Pulse Test: Pulse Width v 300 m s, Duty Cycle v 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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参数描述 |
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