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参数资料
| 型号： | NTHS4501NT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 462pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHS4501N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
9
3.2 V
10 V
3.0 V
T J = 25 ° C
10
V DS ≥ 10 V
8
7
6
2.8 V
8
5
2.6 V
6
4
3
4
?55 ° C
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
2.4 V
2.2 V
8
9
2
0
1.0
1.5
25 ° C
2.0
2.5
T J = 100 ° C
3.0
3.5
4.0
4.5
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.19
0.17
0.15
I D = 4.9 A
T J = 25 ° C
0.06
0.05
T J = 25 ° C
0.13
0.11
0.09
0.04
V GS = 4.5 V
0.07
0.05
0.03
0.03
V GS = 10 V
0.01
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.02
2
4
6
8
10
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
2
I D = 4.9 A
10000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.8
V GS = 10 V
1.6
1.4
1.2
1000
T J = 150 ° C
1
0.8
100
T J = 100 ° C
0.6
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATS037A | CRYSTAL 3.6864 MHZ SERIES FUND |
| B82733F2112B001 | COIL CHOKE 47MH 1.1A PIN |
| B82722J2102N1 | DOUBLE CHOKE 10MH 1A VERT |
| MP040B | CRYSTAL 4.0 MHZ 18 PF |
| B32520C6102K289 | FILM CAP 0.0010UF 10% 400V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHS4501NT1G | 功能描述:MOSFET 30V 6.7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHS50680RJ | 制造商:MACOM 制造商全称:Tyco Electronics 功能描述:Aluminium Housed Power Resistors |
| NTHS5402T1 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTHS5402T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET N-Channel ChipFET? |
| NTHS5404 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
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