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参数资料
| 型号： | NTHS4501NT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 462pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHS4501N
PACKAGE DIMENSIONS
ChipFET t
CASE 1206A?03
ISSUE H
D
q
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
H E
8
1
7
2
6
3
5
4
E
L
5
4
6
3
7
2
8
1
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MOLD GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.13 MM PER SIDE.
4. LEADFRAME TO MOLDED BODY OFFSET IN HORIZONTAL
AND VERTICAL SHALL NOT EXCEED 0.08 MM.
5. DIMENSIONS A AND B EXCLUSIVE OF MOLD GATE BURRS.
6. NO MOLD FLASH ALLOWED ON THE TOP AND BOTTOM LEAD
SURFACE.
MILLIMETERS
INCHES
DIM
MIN
NOM MAX
MIN
NOM
MAX
e1
e
b
c
A
b
c
1.00
0.25
0.10
1.05 1.10
0.30 0.35
0.15 0.20
0.039
0.010
0.004
0.041
0.012
0.006
0.043
0.014
0.008
D
E
2.95
1.55
3.05 3.10
1.65 1.70
0.116
0.061
0.120
0.065
0.122
0.067
e
0.65 BSC
0.025 BSC
A
e1
0.55 BSC
0.022 BSC
L
0.28 0.35 0.42
0.011
0.014
0.017
0.05 (0.002)
H E
q
1.80 1.90 2.00
5 ° NOM
0.071
0.075
5 ° NOM
0.079
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. DRAIN
4. GATE
5. SOURCE
6. DRAIN
7. DRAIN
8. DRAIN
SOLDERING FOOTPRINTS*
2.03 2
2 .03 2
1
0.08
1
0.08
1 .72 7
0.068
2.36 2
0.093
0 .63 5
0.025
PITCH
2 .36 2
0.093
8X
0.45 7
0.018
8X
0.66
0.026
mm
inches
2X
0.45 7
0.018
2X
0.66
0.026
mm
inches
Basic
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
5
Style 1
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PDF描述 |
|---|---|
| ATS037A | CRYSTAL 3.6864 MHZ SERIES FUND |
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| B32520C6102K289 | FILM CAP 0.0010UF 10% 400V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHS4501NT1G | 功能描述:MOSFET 30V 6.7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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