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参数资料
| 型号： | NTHS5441PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 3.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 710pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHS5441
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
20
16
12
?4.5 V
?4 V
?5 V
?3.5 V
?3 V
T J = 25 ° C
?2.5 V
20
16
12
T J = ?55 ° C
25 ° C
125 ° C
8
4
?2 V
8
4
0
V GS = ?1.5 V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.2
0.15
0.1
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
I D = ?3.9 A
T J = 25 ° C
0.2
0.15
0.1
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
V GS = 3.6 V
0.05
0
0.05
0
V GS = 4.5 V
0
1
2
3
4
5
2
6
10
14
18
20
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
1.6
I D = ?3.9 A
V GS = ?4.5 V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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