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参数资料
| 型号： | NTHS5441PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 3.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 710pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTHS5441
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1500
5
Q G
11
10
1200
T J = 25 ° C
V GS = 0
4
9
8
900
600
300
C rss
C iss
C oss
3
2
1
Q GS
Q GD
I D = ?3.9 A
T J = 25 ° C
Q GD /Q GS = 3.0
7
6
5
4
3
2
1
0
0
4
8
12
16
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
10
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE ()
Figure 6. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
P DM
0.01
0.05
0.02
Single Pulse
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
PER UNIT BASE = R q JA = 80 ° C/W
T JM ? T A = P DM Z q JA (t)
SURFACE MOUNTED
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
SQUARE WAVE PULSE DURATION (sec)
Figure 8. Normalized Thermal Transient Impedance, Junction?to?Ambient
5
4
3
2
1
0
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Diode Forward Voltage versus
Current
http://onsemi.com
4
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