型号: | NTJD4105CT2G |
厂商: | ON Semiconductor |
文件页数: | 1/8页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
标准包装: | 3,000 |
FET 型: | N 和 P 沟道 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V,8V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 630mA,775mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 375 毫欧 @ 630mA,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 3nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 46pF @ 20V |
功率 - 最大: | 270mW |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商设备封装: | SOT-363 |
包装: | 带卷 (TR) |