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参数资料
| 型号： | NTJD4105CT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V，8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 630mA，775mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 375 毫欧 @ 630mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 46pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 270mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTJD4105C
TYPICAL N ? CHANNEL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1.4
1.2
1
V GS = 4.5 V to 2.2 V
V GS = 2 V
1.8 V
T J = 25 ° C
1.2
1
0.8
V DS ≥ 10 V
0.8
0.6
1.6 V
0.6
0.4
0.2
0
0
2
4
6
1.4 V
1.2 V
8
10
0.4
0.2
0
0
0.4
0.8
T J = 125 ° C
25 ° C
1.2
T J = ? 55 ° C
1.6
2
2.4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.7
0.6
0.5
0.4
V GS = 4.5 V
T J = 125 ° C
0.7
0.6
0.5
0.4
V GS = 2.5 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.3
0.2
0.1
0
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.3
0.2
0.1
0
T J = ? 55 ° C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
2
80
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
1.8
1.6
I D = 0.63 A
V GS = 4.5 V
and 2.5 V
60
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
1.4
1.2
1
0.8
40
20
C iss
C oss
C rss
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
5
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance Variation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTJD4152PT1 | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-363 |
| NTJD4158CT1G | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 |
| NTJD4401NT1G | MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363 |
| NTJD5121NT2G | MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363 |
| NTJS3151PT1G | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJD4105CT4 | 功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4105CT4G | 功能描述:MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4152P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88 |
| NTJD4152PT1 | 功能描述:MOSFET 20V 0.88A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJD4152PT1G | 功能描述:MOSFET 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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