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参数资料
| 型号： | NTJS3151PT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
| 产品变化通告： | LTB Notification |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 400mV @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTJS3151P
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J =25 ° C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = ? 250 m A
? 12
10
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = ? 9.6 V,
V DS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
? 2.5
? 1.0
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 4.5 V
V DS = 0 V, V GS = ± 12 V
± 1.5
± 10
m A
mA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
Negative Threshold Temperature
Coefficient
V GS(TH)
V GS(TH) /T J
V GS = V DS , I D = 100 m A
? 0.40
3.4
V
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 3.3 A
45
60
m W
V GS = ? 2.5 V, I D = ? 2.9 A
V GS = ? 1.8 V, I D = ? 1.0 A
67
133
90
160
Forward Transconductance
g FS
V GS = ? 10 V, I D = ? 3.3 A
15
S
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
C ISS
850
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz,
V DS = ? 12 V
170
110
Total Gate Charge
Q G(TOT)
8.6
nC
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Q GS
Q GD
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 5.0 V,
I D = ? 3.3 A
1.3
2.2
Gate Resistance
R G
3000
W
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
0.86
m s
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = ? 4.5 V, V DD = ? 6.0 V,
I D = ? 1.0 A, R G = 6.0 W
1.5
3.5
3.9
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS (Note 2)
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = ? 3.3 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
? 0.85
? 0.7
? 1.2
V
2. Pulse Test: pulse width ≤ 300 m s, duty cycle ≤ 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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| NTJS3151PT2 | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJS3157N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88 |
| NTJS3157NT1 | 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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