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参数资料
| 型号： | NTJS3151PT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
| 产品变化通告： | LTB Notification |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 400mV @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 625mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTJS3151P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
8
V GS = ? 4.5 V
T J = 25 ° C
8
V DS ≤ ? 12 V
6
? 2.4 V
V GS = ? 3.4 V
? 2 V
6
4
4
2
? 1.6 V
2
125 ° C
0
0
1
2
3
4
? 1.4 V
? 1.2 V
5
0
0
25 ° C
0.5 1
1.5
T J = ? 55 ° C
2 2.5 3
3.5
4
4.5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.1
V GS = ? 4.5 V
0.5
V GS = ? 1.8 V
T J = 25 ° C
0.075
T J = 125 ° C
0.4
0.3
0.05
T J = 25 ° C
0.2
0.025
T J = ? 55 ° C
0.1
V GS = ? 2.5 V
0
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
0
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
V GS = ? 4.5 V
6.5 7.5
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
1.4
I D = ? 3.3 A
V GS = ? 4.5 V
100000
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1000
T J = 125 ° C
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
0
2
4 6
8
10
12
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 252B103A60NB | POT JOYSTICK 10K OHM W/SWITCH |
| 252B154A40NB | POT JOYSTICK 150K OHM W/SWITCH |
| 6-1676003-0 | POT 10K OHM 1/5W 20% SIDE SERR |
| ATS111C | CRYSTAL 11.0592 MHZ 32 PF FUND |
| NTJS3151PT2 | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTJS3157N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88 |
| NTJS3157NT1 | 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS3157NT1G | 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS3157NT2 | 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTJS3157NT2G | 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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