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参数资料
| 型号： | NTK3043NT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 210mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 欧姆 @ 10mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 310mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | SOT-723 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTK3043N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
25
20
15
10
5
C iss
C rss
T J = 25 ? C
C iss
C oss
0
10
V DS = 0 V
5
0
V GS = 0 V
5
10
15
C rss
20
V GS
V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
V DD = 5 V
I D = 10 mA
V GS = 4.5 V
100
10
t d(off)
t f
t r
t d(on)
1
1
10
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 8. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
0.4
V GS = 0 V
T J = 25 ? C
0.3
0.2
0.1
T J = 150 ? C
0
0.4
0.5
T J = 125 ? C
0.6 0.7
0.8
T J = ? 55 ? C
0.9 1.0
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTK3134NT5G | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-723 |
| NTK3139PT5G | MOSFET P-CH 20V 660MA SOT-723 |
| NTK3142PT1G | MOSFET P-CHAN 260MA 20V SOT-723 |
| NTLGD3502NT2G | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN |
| NTLGF3402PT2G | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTK3134N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 890 mA, Single N−Channel with ESD Protection, SOT−723 |
| NTK3134NT1G | 功能描述:MOSFET 20V/6V N CH T1 890mA 0.3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTK3134NT1H | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTK3134NT5G | 功能描述:MOSFET 20V/6V N CH T1 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTK3134NT5H | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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