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参数资料
| 型号： | NTK3134NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-723 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-723 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 750mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 890mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 120pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 310mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | SOT-723 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTK3134NT1GOSDKR |
NTK3134N
TYPICAL CHARACTERISTICS
2.0
2.0 V
2.0
1.5
V GS = 4.5 V to 2.2 V
1.5
V DS ≥ 5 V
1.8 V
1.0
T J = 25 ° C
1.6 V
1.0
T J = 25 ° C
0.5
1.5 V
1.4 V
0.5
T J = 125 ° C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
0.75
1.0
1.25
T J = ? 55 ° C
1.5
1.75
2.0
1.50
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.30
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
I D = 0.89 A
T J = 25 ° C
0.28
0.25
0.23
0.20
0.18
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0.15
0.3
0.6
0.8
1.1
1.3
1.6
1.8
V GS , GATE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
10,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
0.6
V GS = 1.5 V, I D = 200 mA
V GS = 0 V
0.5
V GS = 1.8 V, I D = 710 mA
1000
T J = 150 ° C
0.4
0.3
V GS = 2.5 V, I D = 710 mA
100
T J = 125 ° C
0.2
0.1
? 60 ? 35
? 10
V GS = 4.5 V, I D = 1 A
15 40 65
90
115
140
10
5.0
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S1812KIT | INDUCTOR KIT SHIELD S1812 245 PC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTK3134NT1H | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTK3134NT5G | 功能描述:MOSFET 20V/6V N CH T1 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTK3134NT5H | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTK3139P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −20 V, −780 mA, Single P−Channel with ESD Protection, SOT−723 |
| NTK3139PT1G | 功能描述:MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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