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参数资料
| 型号： | NTK3134NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-723 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-723 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 750mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 890mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 120pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 310mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | SOT-723 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTK3134NT1GOSDKR |
NTK3134N
TYPICAL CHARACTERISTICS
140
120
100
80
60
40
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
V DD = 10 V
I D = 500 mA
V GS = 4.5 V
t d(off)
t f
t d(on)
t r
20
0
0
C oss
C rss
2 4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
1
10
100
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
1.0
0.9
0.8
V GS = 0 V
150 ° C
125 ° C
25 ° C
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
T J = ? 55 ° C
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTK3134NT5H | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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