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参数资料
| 型号： | NTK3139PT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 660MA SOT-723 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 660mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 780mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 170pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 310mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | SOT-723 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTK3139P
TYPICAL CHARACTERISTICS
2.0
1.5
1.0
0.5
V GS = ? 4.5 V to ? 2.5 V
T J = 25 ° C
? 2.2 V
? 2.0 V
? 1.8 V
? 1.6 V
? 1.5 V
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
V DS ≥ ? 5 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
? 1.4 V
5.5
6
0
0.75
1.25
T J = ? 55 ° C
1.75
2.25
3.0
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.8
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
2.5
I D = ? 0.78 A
T J = 25 ° C
0.7
T J = 25 ° C
V GS = ? 2.5 V
2.0
1.5
0.6
0.5
1.0
0.5
0.4
0.3
V GS = ? 4.5 V
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0.2
0.4
0.7
0.9
1.2
1.4
1.7
1.9
1.2
1.0
? V GS , GATE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
V GS = ? 1.5 V, I D = ? 100 mA
10,000
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
0.8
0.6
V GS = ? 1.8 V, I D = ? 100 mA
V GS = ? 2.5 V, I D = ? 550 mA
1000
100
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.4
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 630 mA
0.2
? 60 ? 35
? 10
15
40
65
90
115
140
10
5.0
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTK3142PT1G | MOSFET P-CHAN 260MA 20V SOT-723 |
| NTLGD3502NT2G | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN |
| NTLGF3402PT2G | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN |
| NTLJD2104PTBG | MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN |
| NTLJD2105LTBG | MOSFET LOAD SW 8V 4.3A 6-WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTK3142P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTK3142PT1G | 功能描述:MOSFET PFET 20V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTK3142PT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:HALOGEN FREE PFET SOT723 |
| NTK3142PT5G | 功能描述:MOSFET PFET SOT723 20V 2.8A 3.4mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTL02C10NTRF | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:- Tape and Reel |
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