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参数资料
| 型号： | NTLGF3402PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.14W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLGF3402P
MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V, I S = ?1.1 A
T J = 25 ° C
?0.8
?1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
53
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, I S = ?1.1 A ,
dI S /dt = 100 A/ m s
15
38
Reverse Recovery Charge
Q RR
37
nC
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
Maximum Instantaneous
Reverse Current
Symbol
V F
I R
Test Conditions
I F = 0.1 A
I F = 1.0 A
V R = 5 V, T J = 100 ° C
V R = 10 V
Min
Typ
0.32
0.36
70
Max
0.34
0.39
12
Unit
V
mA
m A
V R = 20 V
6. Pulse Test: Pulse Width v 300 m s, Duty Cycle v 2%.
7. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
225
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PDF描述 |
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参数描述 |
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