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参数资料
| 型号： | NTLGF3402PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.14W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLGF3402P
TYPICAL P?CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
6
?2.8 V
?2.6 V
T J = 25 ° C
6
V DS ≥ ?10 V
5
4
3
V GS = ?3 V to ?10 V
?2.4 V
?2.2 V
5
4
3
2
1
0
?2 V
?1.8 V
?1.6 V
2
1
0
25 ° C
100 ° C
T J = ?55 ° C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.25
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.2
I D = ?2.7 A
T J = 25 ° C
0.2
T J = 25 ° C
V GS = ?2.5 V
0.15
0.1
0.1
V GS = ?4.5 V
0
0.05
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.5
2.5
3.5
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
1.5
I D = ?2.7 A
10000
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
V GS = ?4.5 V
T J = 150 ° C
1000
1
100
T J = 100 ° C
0.5
10
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
5
10
15
20
?T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 252B103A50NB | POT JOYSTICK 10K OHM W/SWITCH |
| FQPF8N60C | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F |
| ATS22A | CRYSTAL 22.1184 MHZ 20 PF FUND |
| 252A103A50NB | POT JOYSTICK 10K OHM W/SWITCH |
| 252B154A60NB | POT JOYSTICK 150K OHM W/SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLGF3402PT2G | 功能描述:MOSFET PFET 3X3 20V 2.7A 140MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLGF3501NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A FETKY T RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLGF3501NT2G | 功能描述:MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD105L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTLJD119C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
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