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参数资料
| 型号： | NTLGF3402PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.14W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-DFN（3x3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLGF3402P
TYPICAL SCHOTTKY PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
T J = 100 ° C
10
1
T J = 125 ° C
1
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
0.1
T J = ?40 ° C
0.1
T J = 25 ° C
0.10
0.30
0.50
0.10
0.30
0.50
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Typical Forward Voltage
1E+0
1E+0
V F , MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Maximum Forward Voltage
100E?3
10E?3
T J = 125 ° C
100E?3
10E?3
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
T J = 100 ° C
1E?3
1E?3
100E?6
10E?6
T J = 25 ° C
100E?6
10E+0
T J = 25 ° C
0
10
20
0
10
20
3.5
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Typical Reverse Current
1.8
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 15. Maximum Reverse Current
3
2.5
dc
square wave
freq = 20 kHz
1.6
1.4
1.2
square wave
Ipk/Io = p
Ipk/Io = 5
Ipk/Io = 10
dc
2
1.5
1
0.5
0
Ipk/Io = p
Ipk/Io = 5
Ipk/Io = 10
Ipk/Io = 20
1 Ipk/Io = 20
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
45
65
85
105
125
145
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
T L , LEAD TEMPERATURE ( ° C)
Figure 16. Current Derating
http://onsemi.com
6
I O , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 17. Forward Power Dissipation
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 252B103A50NB | POT JOYSTICK 10K OHM W/SWITCH |
| FQPF8N60C | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F |
| ATS22A | CRYSTAL 22.1184 MHZ 20 PF FUND |
| 252A103A50NB | POT JOYSTICK 10K OHM W/SWITCH |
| 252B154A60NB | POT JOYSTICK 150K OHM W/SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLGF3402PT2G | 功能描述:MOSFET PFET 3X3 20V 2.7A 140MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLGF3501NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A FETKY T RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLGF3501NT2G | 功能描述:MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD105L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTLJD119C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
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