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参数资料
| 型号： | NTLJD2105LTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET LOAD SW 8V 4.3A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 04/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 功率 - 最大： | 520mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJD2105L
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction?to?Ambient – Steady State (Note 3)
Junction?to?Ambient – t v 5 s (Note 3)
Junction?to?Ambient – Steady State Min Pad (Note 4)
Symbol
R q JA
R q JA
R q JA
Max
80
38
180
Unit
° C/W
° C/W
° C/W
3. Surface Mounted on FR4 Board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq [2 oz] including traces).
4. Surface?mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Q2 Drain?to?Source Breakdown
Voltage
V (BR)DSS
V GS = 0 V, I D = 250 m A
?8.0
V
Q2 Forward Leakage Current
I FL
V ON/OFF = 0 V,
V IN = 8.0 V
T J = 25 ° C
T J = 85 ° C
0.1
1
m A
Q1 Gate?to?Source Leakage
I GSS
V DS = 0 V, V GS1 = ± 6 V
± 100
n A
Current
Q1 Diode Forward On?Voltage
V SD
I S = ?1.0 A, V GS1 = 0 V
?0.8
?1.1
V
ON CHARACTERISTICS
Q1 ON/OFF Voltage
V ON/OFF
1.5
8.0
Q1 Gate Threshold Voltage
Q2 Input Voltage
Q2 Drain?to?Source On
Resistance
V GS1(TH)
V IN
R DS(on)
V GS1 = V DS1 , I D = 250 m A
V IN = 4.5 V, I L = 4.0 A
V IN = 2.5 V, I L = 3.0 A
0.40
1.8
33
40
1.0
8.0
50
60
V
V
m W
V IN = 1.8 V, I L = 1.7 A
V IN = 1.5 V, I L = 1.2 A
60
75
80
115
Q2 Load Current
I L
V DROP v 0.2 V, V IN = 2.5 V, V ON/OFF = 1.5 V
1.0
A
V DROP v 0.3 V, V IN = 1.8 V, V ON/OFF = 1.5 V
http://onsemi.com
2
1.0
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PDF描述 |
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