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参数资料
| 型号： | NTLJD2105LTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET LOAD SW 8V 4.3A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 04/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 功率 - 最大： | 520mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJD2105L
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
0.15
V IN = 4.5 V
0.20
V IN = 2.5 V
0.10
T J = 25 ° C
0.15
T J = 25 ° C
0.10
0.05
T J = 85 ° C
0.05
T J = 85 ° C
0.00
0
1
2
3
4
0.00
0
1
2
3
4
0.25
I L , LOAD CURRENT (AMPS)
Figure 1. Voltage Drop versus Load Current @
V IN = 4.5 V
V IN = 1.8 V
0.35
I L , LOAD CURRENT (AMPS)
Figure 2. Voltage Drop versus Load Current @
V IN = 2.5 V
V IN = 1.5 V
0.30
0.20
T J = 25 ° C
0.25
0.15
0.20
T J = 25 ° C
0.10
T J = 85 ° C
0.15
T J = 85 ° C
0.10
0.05
0.05
0.00
0
1
2
3
4
0.00
0
1
2
3
4
I L , LOAD CURRENT (AMPS)
Figure 3. Voltage Drop versus Load Current @
V IN = 1.8 V
I L , LOAD CURRENT (AMPS)
Figure 4. Voltage Drop versus Load Current @
V IN = 1.5 V
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTLJD3115PTAG | 功能描述:MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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