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参数资料
| 型号： | NTLJD3115PTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.1A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 531pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJD3115P
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Max
Unit
SINGLE OPERATION (SELF ? HEATED)
Junction ? to ? Ambient – Steady State (Note 3)
R q JA
83
Junction ? to ? Ambient – Steady State Min Pad (Note 4)
Junction ? to ? Ambient – t ≤ 5 s (Note 3)
R q JA
R q JA
177
54
° C/W
DUAL OPERATION (EQUALLY HEATED)
Junction ? to ? Ambient – Steady State (Note 3)
R q JA
58
Junction ? to ? Ambient – Steady State Min Pad (Note 4)
Junction ? to ? Ambient – t ≤ 5 s (Note 3)
R q JA
R q JA
133
40
° C/W
3. Surface Mounted on FR4 Board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq [2 oz] including traces).
4. Surface Mounted on FR4 Board using the minimum recommended pad size (30 mm 2 , 2 oz Cu).
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTLJD3119CTBG | MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTLJD3119CTBG | 功能描述:MOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD3181PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −20 V, −4.0 A, Cool Dual P−Channel, ESD, 2x2 mm WDFN Package |
| NTLJD3181PZTAG | 功能描述:MOSFET 20V UCOOL DUAL P-CHN 4.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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