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参数资料
| 型号： | NTLJD3119CTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN |
| 产品变化通告： | 1Q2012 Discontinuation 30/Mar/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A，2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 271pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTLJD3119CTAGOSDKR |
NTLJD3119C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
N/P
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
N
P
N
P
V GS = 0 V
I D = 250 m A
I D = ? 250 m A
20
? 20
10.4
9.95
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
N
P
V GS = 0 V, V DS = 16 V
V GS = 0 V, V DS = ? 16 V
T J = 25 ° C
1.0
? 1.0
m A
N
P
V GS = 0 V, V DS = 16 V
V GS = 0 V, V DS = ? 16 V
T J = 85 ° C
10
? 10
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
N
V DS = 0 V, V GS = ± 8.0 V
± 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
P
V DS = 0 V, V GS = ± 8.0 V
± 100
Gate Threshold Voltage
V GS(TH)
N
P
V GS = V DS
I D = 250 m A
I D = ? 250 m A
0.4
? 0.4
0.7
? 0.7
1.0
? 1.0
V
Gate Threshold Temperature
Coefficient
V GS(TH) /T J
N
P
? 3.0
2.44
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
N
V GS = 4.5 V , I D = 3.8 A
37
65
m W
P
N
P
N
P
V GS = ? 4.5 V , I D = ? 4.1 A
V GS = 2.5 V , I D = 2.0 A
V GS = ? 2.5 V, I D = ? 2.0 A
V GS = 1.8 V , I D = 1.7 A
V GS = ? 1.8 V, I D = ? 1.6 A
75
46
101
65
150
100
85
135
120
200
Forward Transconductance
g FS
N
V DS = 10 V, I D = 1.7 A
4.2
S
P
CHARGES, CAPACITANCES AND GATE RESISTANCE
V DS = ? 5.0 V , I D = ? 2.0 A
3.1
Input Capacitance
C ISS
N
V DS = 10 V
271
pF
P
V DS = ? 10 V
531
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
N
P
N
f = 1.0 MHz, V GS = 0 V
V DS = 10 V
V DS = ? 10 V
V DS = 10 V
72
91
43
P
V DS = ? 10 V
56
Total Gate Charge
Q G(TOT)
N
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 3.8 A
3.7
nC
P
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 10 V, I D = ? 2.0 A
5.5
Threshold Gate Charge
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Q G(TH)
Q GS
Q GD
N
P
N
P
N
P
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 3.8 A
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 10 V, I D = ? 2.0 A
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 3.8 A
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 10 V, I D = ? 2.0 A
V GS = 4.5 V, V DS = 10 V, I D = 3.8 A
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 10 V, I D = ? 2.0 A
0.3
0.7
0.6
1.0
1.0
1.4
http://onsemi.com
3
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