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参数资料
| 型号： | NTLJD3119CTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN |
| 产品变化通告： | 1Q2012 Discontinuation 30/Mar/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A，2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 271pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTLJD3119CTAGOSDKR |
NTLJD3119C
TYPICAL PERFORMANCE CURVES ? P ? CHANNEL (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
5
4.5
4
3.5
3
V GS = ? 1.9 V to ? 6 V
T J = 25 ° C
? 1.8 V
? 1.7 V
5
4
3
V DS ≥ 10 V
2.5
? 1.6 V
2
1.5
1
? 1.5 V
? 1.4 V
2
1
T J = 25 ° C
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
? 1.3 V
? 1.2 V
4 4.5
0
0
T J = 125 ° C
0.5 1
T J = ? 55 ° C
1.5
2
2.5
3
0.1
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. On ? Region Characteristics
V GS = ? 4.5 V
0.15
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.1
0.05
V GS = ? 2.5 V
V GS = ? 4.5 V
0.04
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 13. On ? Resistance versus Drain
Current
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 14. On ? Resistance versus Drain
Current and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = ? 2.2 A
V GS = ? 4.5 V
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1000
1.0
0.8
100
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 15. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
7
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 16. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
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PDF描述 |
|---|---|
| B32621A4333K | FILM CAP 0.0330UF 10% 400V |
| M2032TNW01-EA | SWITCH ROCKER 3PDT 6A 125V |
| B32620A5154K | FILM CAP 0.1500UF 10% 160V |
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| B32620A3104K | FILM CAP 0.1000UF 10% 250V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLJD3119CTBG | 功能描述:MOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD3181PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −20 V, −4.0 A, Cool Dual P−Channel, ESD, 2x2 mm WDFN Package |
| NTLJD3181PZTAG | 功能描述:MOSFET 20V UCOOL DUAL P-CHN 4.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD3181PZTBG | 功能描述:MOSFET 20V UCOOL DUAL P-CHN 4.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD3182FZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode −20 V, −4.0 A, μCool? Single P−Channel & Schottky Barrier Diode, ESD |
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