- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18174 > NTLJD3183CZTAG (ON Semiconductor)MOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTLJD3183CZTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 355pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJD3183CZ
N ? CHANNEL TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1000
800
600
T J = 25 ° C
V DS = V GS = 0 V
5
4
3
QT
V GS
400
C rss
C iss
2
Q GS
Q GD
200
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
C oss
20
1
0
0
1
I D = 3.8 A
T J = 25 ° C
2 3 4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
5
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
100
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
2.5
10
V DD = 5.0 V
I D = 2.0 A
V GS = 4.5 V
t f
t d(off)
t r
t d(on)
2
1.5
1
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0.5
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
100
10
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100 m s
1 ms
10 ms
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EF12.1089.1110.01 | MOD PWR ENTRY STD 20A 2PL QC PNL |
| 1055791-1 | TORQUE WRENCH 5/8" FOR TNC |
| FXO-LC536-200 | OSC 200 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| NTLJD3181PZTAG | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN |
| IXFX20N120 | MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLJD3183CZTBG | 功能描述:MOSFET 20V 4.1A UCOOL CMPLM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD4114N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTLJD4116N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTLJD4116NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 2X2 30V 4.6A 70MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD4150P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -30 V, -3.4 A, uCool TM Dual P-Channel,2x2 mm WDFN Package |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。