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参数资料
| 型号： | NTLJF3117PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | µCool™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 531pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTLJF3117PT1GOSCT |
NTLJF3117P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
5
4.5
4
V GS = -1.9 V to -6 V
T J = 25 ° C
-1.8 V
5
4
V DS ≥ 10 V
3.5
3
-1.7 V
3
2.5
2
-1.6 V
2
1.5
1
-1.5 V
-1.4 V
1
T J = 25 ° C
0.5
0
-1.3 V
-1.2 V
0
T J = 125 ° C
T J = -55 ° C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.1
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = -4.5 V
0.15
-V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = -55 ° C
0.1
0.05
V GS = -2.5 V
V GS = -4.5 V
0.04
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
1.6
1.4
-I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On-Resistance versus Drain Current
I D = -2.2 A
V GS = -4.5 V
10000
-I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1000
1.2
1.0
0.8
0.6
100
10
T J = 100 ° C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DB1CB1AA | SWITCH SNAP SPDT 5A QC TERM |
| LF-301MA | DISPLAY 7SEG 8MM 1DGT GRN CA SMD |
| DG13-B1LA | SWITCH LEVER SPDT 3A PC MNT |
| LF-301VK | DISPLAY 7SEG 8MM 1DGT RED CC SMD |
| LF-301VA | DISPLAY 7SEG 8MM 1DGT RED CA SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLJF3117PTAG | 功能描述:MOSFET PFET 20V 4.1A 106MO 2X2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJF3118N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
| NTLJF3118NTAG | 功能描述:MOSFET NFET 2X2 20V 3.8A 70MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJF3118NTBG | 功能描述:MOSFET NFET 2X2 20V 3.8A 70MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJF4156N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
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