参数资料
型号: NTLJF3117PT1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
标准包装: 1
系列: µCool™
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 531pF @ 10V
功率 - 最大: 710mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 6-WDFN(2x2)
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NTLJF3117PT1GOSCT
NTLJF3117P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1000
100
D = 0.5
0.2
0.1
*See Note 2 on Page 1
10
0.05
0.02
P (pk)
R q JA (t) = r(t) R q JA
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
1 0.01
t 1
t 2
READ TIME AT t 1
T J(pk) - T A = P (pk) R q JA (t)
0.1
SINGLE PULSE
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
http://onsemi.com
6
相关PDF资料
PDF描述
DB1CB1AA SWITCH SNAP SPDT 5A QC TERM
LF-301MA DISPLAY 7SEG 8MM 1DGT GRN CA SMD
DG13-B1LA SWITCH LEVER SPDT 3A PC MNT
LF-301VK DISPLAY 7SEG 8MM 1DGT RED CC SMD
LF-301VA DISPLAY 7SEG 8MM 1DGT RED CA SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
NTLJF3117PTAG 功能描述:MOSFET PFET 20V 4.1A 106MO 2X2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLJF3118N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices
NTLJF3118NTAG 功能描述:MOSFET NFET 2X2 20V 3.8A 70MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLJF3118NTBG 功能描述:MOSFET NFET 2X2 20V 3.8A 70MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLJF4156N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices