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参数资料
| 型号： | NTLJF3117PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | µCool™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 531pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTLJF3117PT1GOSCT |
NTLJF3117P
TYPICAL SCHOTTKY PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
10
1.0
T J = 85 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
1.0
T J = 85 ° C
T J = -55 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Typical Forward Voltage
1.0E+0
100E-3
10E-3
T J = 125 ° C
1.0E+0
100E-3
10E-3
V F , MAXIMUM FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Maximum Forward Voltage
T J = 125 ° C
1.0E-3
100E-6
10E-6
1.0E-6
100E-9
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
1.0E-3
100E-6
10E-6
1.0E-6
100E-9
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
0
10
20
30
0
10
20
30
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 15. Typical Reverse Current
ORDERING INFORMATION
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 16. Maximum Reverse Current
Device
NTLJF3117PT1G
NTLJF3117PTAG
Package
WDFN6
(Pb-Free)
WDFN6
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
(Pb-Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
7
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLJF3117PTAG | 功能描述:MOSFET PFET 20V 4.1A 106MO 2X2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJF3118N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
| NTLJF3118NTAG | 功能描述:MOSFET NFET 2X2 20V 3.8A 70MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJF3118NTBG | 功能描述:MOSFET NFET 2X2 20V 3.8A 70MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJF4156N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
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