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参数资料
| 型号： | NTLJS3180PZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJS3180PZ
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
14
12
V GS = ? 2.2 V to ? 5 V
T J = 25 ° C
? 1.8 V
14
12
V DS ≥ 5 V
10
8
6
? 2.0 V
? 1.6 V
10
8
6
4
? 1.4 V
4
T J = 25 ° C
2
0
0
1
2
3
4
? 1.2 V
? 1.0 V
5
2
0
0
T J = 125 ° C
0.5 1
T J = ? 55 ° C
1.5
2
2.5
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.05
V GS = ? 4.5 V
0.1
T J = 25 ° C
0.04
0.03
T J = 125 ° C
0.08
0.06
V GS = ? 1.8 V
0.02
0.01
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.04
0.02
V GS = ? 2.5 V
V GS = ? 4.5 V
0
2.0
4.0
6.0
8.0
0
2
4
6
8
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.75
1.5
1.25
1.0
I D = ? 3 A
V GS = ? 4.5 V
100000
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.75
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
0
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
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PDF描述 |
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