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参数资料
| 型号： | NTLJS4114NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | µCool™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTLJS4114NT1GOSDKR |
NTLJS4114N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
5
20
1600
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4
V DS
QT
V GS
16
1000
3
Q GD
12
2
Q GS
8
400
? 200
5
C rss
V GS
0
C oss
5
V DS
10
15
20
25
30
1
0
0
I D = 2 A
T J = 25 ° C
4 8
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
1000
V DD = 15 V
I D = 3.0 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
4
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t f
t r
2
10
t d(on)
1
1
1
10
100
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100
10
See Note 2 on Page 1
10 m s
100 m s
1 ms
1
SINGLE PULSE
10 ms
0.1
0.01
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
dc
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTLJS4149PTBG | MOSFET P-CH 30V 4.6A SGL 6WDFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLJS4149P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| NTLJS4149PTAG | 功能描述:MOSFET PFET 2X2 30V 4.6A TR 60MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJS4149PTBG | 功能描述:MOSFET PFET 2X2 30V 4.6A 60MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJS4159N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTLJS4159NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 35MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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