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参数资料
| 型号： | NTLUD3191PZTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.5nc @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 160pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLUD3191PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
9
8
T J = 25 ° C
V GS = ? 4.5 V
? 4.0 V
? 3.5 V
5
4
V DS = ? 5 V
7
6
5
4
3
? 3.0 V
? 2.5 V
? 2.0 V
3
2
2
1
0
0
1
2
3
4
? 1.8 V
? 1.5 V
5
1
0
0
T J = 125 ° C
0.5 1
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
1.5 2
2.5
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
1.0
0.9
T J = 25 ° C
1.0
? 1.5 V
T J = 25 ° C
0.8
0.7
0.8
0.6
0.6
? 1.8 V
0.5
0.4
0.3
0.2
I D = ? 0.2 A
I D = ? 1.5 A
0.4
0.2
? 2.5 V
V GS = ? 4.5 V
0.1
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.7
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
10000
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.5
1.4
1.3
V GS = ? 4.5 V
I D = ? 1.5 A
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
100
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
5
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTLUD3A260PZTBG | POWER MOSFET 20V 2A 200 M UDFN6 |
| NTLUF4189NZTAG | MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN |
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| NTLUS3A18PZTBG | MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLUD3191PZTBG | 功能描述:MOSFET PFET WDFN6 20V 1.7A 250mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLUD3A260PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET a??20 V, a??2.1 A,Cool Dual Pa??Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package |
| NTLUD3A260PZTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUD3A260PZTBG | 功能描述:IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTLUD3A50PZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:a??20 V, a??5.6 A, Cool Dual Pa??Channel, 2.0x2.0x0.55 mm UDFN Package |
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