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参数资料
| 型号： | NTMD6N02R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.92A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 730mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMD6N02R2GOSDKR |
NTMD6N02R2
1.6
1000
V GS = 0 V
1.4
I D = 6.0 A
V GS = 4.5 V
100
T J = 125 ° C
100 ° C
1.2
10
1
0.8
1
0.1
25 ° C
0.6
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?To?Source Leakage Current
versus Voltage
2500
2000
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
V DS
QT
V GS
20
16
1500
C rss
3
12
I D = 6 A
1000
500
C rss
C iss
C oss
2
1
Q1
Q2
V DS = 16 V
V GS = 4.5 V
T J = 25 ° C
8
4
0
0
0
10
5
0
5
10
15
20
0
4
8
12
16
V GS V DS
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?To?Source and Drain?To?Source
Voltage versus Total Charge
1000
V DS = 16 V
I D = 6.0 A
V GS = 4.5 V
100
t f
t r
t d(off)
10
t d(on)
1
10
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
100
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参数描述 |
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| NTMD6N03R2G | 功能描述:MOSFET NFET 30V SPCL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTMD6P02 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 6 A, 20 V, Pa??Channel SOICa??8, Dual |
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