参数资料
型号: NTMD6N02R2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO
产品变化通告: Wire Change 20/Aug/2008
标准包装: 1
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.92A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 35 毫欧 @ 6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 16V
功率 - 最大: 730mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
其它名称: NTMD6N02R2GOSDKR
NTMD6N02R2
DRAIN?TO?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
5
100
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
10
3
2
1
1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
dc
100
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P ( pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.001
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料
PDF描述
KR312AKXXA12XX SWITCH ROCKER SPST 10A 24V
C20F.0011 APPLIANCE INLET W/FILTER 20A
B12AB-GB SW TOGGLE SPDT .4VA BRKT WHT CAP
M2022S3S4W01 SW TOGGLE DPDT THR SILV SLD LUG
KR313AKXXA12XX SWITCH ROCKER SPST 10A 24V
相关代理商/技术参数
参数描述
NTMD6N03R2 功能描述:MOSFET 30V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMD6N03R2G 功能描述:MOSFET NFET 30V SPCL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMD6N04R2 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8
NTMD6N04R2G 功能描述:MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMD6P02 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 6 A, 20 V, Pa??Channel SOICa??8, Dual