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参数资料
| 型号： | NTMFS4744NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7A SO8 FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.6 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 880mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMFS4744NT1GOSCT |
NTMFS4744N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2000
1600
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
5
4
Q GS
Q T
Q GD
1200
3
800
400
C oss
2
1
0
0
4
C rss
8
12
16
20
0
0
4
8
I D = 30 A
T J = 25 ° C
12
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
t r
t f
10
V GS = 0 V
10
t d(off)
t d(on)
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1
1
10
V DS = 15 V
I D = 30 A
V GS = 4.5 V
100
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
V GS = 2.0 V
SINGLE PULSE
100 T C = 25 ° C
300
I D = 24 A
10
1
0.1
RDS(on) LIMIT
10 m s
100 m s
1 ms
10 m s
200
100
Package Limit
0.01
0.1
Thermal Limit
dc
1 10
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
100
0
25
50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
175
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4821NT3G | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL |
| NTMFS4823NT3G | MOSFET N-CH 30V 6.9A SO-8FL |
| NTMFS4825NFET3G | MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL |
| NTMFS4833NST1G | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL |
| NTMFS4833NT3G | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4744NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 53A 10MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4821N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 58.5 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
| NTMFS4821NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4821NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4823N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 30 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
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