- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录490 > NTMFS4825NFET3G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTMFS4825NFET3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jan/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5660pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 950mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMFS4825NFET3GOSDKR |
NTMFS4825NFE
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
300
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
4.2 V thru 10 V
T J = 25 ° C
2 3
V GS = 4.0 V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
4
5
300
280
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
V DS = 10 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1.5 2 2.5
3
T J = ? 55 ° C
3.5
4
4.5
5
0.010
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.0035
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.008
0.006
0.004
I D = 20 A
T J = 25 ° C
0.0030
0.0025
0.0020
0.0015
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.0010
0.002
0.0005
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10 30
50
70
90
110 130 150 170 190 210
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
I D = 20 A
V GS = 10 V
1.0E ? 01
1.0E ? 02
1.0E ? 03
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.2
1.1
1.0E ? 04
1.0
0.9
0.8
1.0E ? 05
T J = 25 ° C
0.7
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1.0E ? 06
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4833NST1G | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL |
| NTMFS4833NT3G | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL |
| NTMFS4834NT3G | MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL |
| NTMFS4836NT1G | MOSFET N-CH 30V 11A SO8 FL |
| NTMFS4837NT1G | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4826NET1G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 66A 5.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4826NET3G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 66A 5.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4827NET1G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 58.5A 6.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4827NET3G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 58.5A 6.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4833N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8 FL |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。