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参数资料
| 型号： | NTMFS4825NFET3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jan/2012 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5660pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 950mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMFS4825NFET3GOSDKR |
NTMFS4825NFE
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
8000
7000
6000
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
C iss
11
10
9
8
Q T
5000
7
4000
3000
6
5
4
Q gs
Q gd
2000
1000
C rss
C oss
3
2
1
I D = 30 A
T J = 25 ° C
V DD = 15 V
0
0
4
8
12
16
20
24
28
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
30
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(on)
15
10
5
1
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
10
1
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
400
350
300
250
200
150
I D = 50 A
0.1
0.01
0.1
1
RDS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10
dc
100
100
50
0
25
50 75
100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4833NST1G | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL |
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| NTMFS4834NT3G | MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4826NET1G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 66A 5.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4826NET3G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 66A 5.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4827NET1G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 58.5A 6.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4827NET3G | 功能描述:MOSFET NFETFL 30V 58.5A 6.9mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4833N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8 FL |
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