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参数资料
| 型号： | NTMFS4836NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A SO8 FL |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 30/Sept/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2677pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 890mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMFS4836NT1GOSCT |
NTMFS4836N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
120
110
100
V GS = 4.5 to 5.0 V
T J = 25 ° C
4.0 V
3.8 V
110
100
90
V DS ≥ 10 V
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3.0 V
2.8 V
9
10
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.030
0.025
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.008
0.007
T J = 25 ° C
0.006
0.020
0.015
0.010
0.005
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
V GS = 4.5 V
V GS = 11.5 V
0
2
4
6
8
10
12
0
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
1.80
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
100,000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.60
1.40
I D = 30 A
V GS = 10 V & 4.5 V
10,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.20
1.00
1,000
T J = 125 ° C
100
0.80
0.60
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
4
8
12
16
20
24
28
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4837NT1G | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 FL |
| NTMFS4839NT3G | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL |
| NTMFS4841NT3G | MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL |
| NTMFS4845NT3G | MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL |
| NTMFS4846NT3G | MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4836NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 90A 4MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4837N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:+12 V Telecom Power Conversion Solutions |
| NTMFS4837NH | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 75 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4837NHT1G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 74A 5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4837NHT3G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 74A 5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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