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参数资料
| 型号： | NTMFS4852NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 16A SO8 FL |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.1 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 71.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4970pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMFS4852NT1GOSDKR |
NTMFS4852N
TYPICAL CHARACTERISTICS
6000
11
5000
4000
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
9
8
7
Q T
V GS
3000
2000
1000
0
0
C oss
C rss
5
10
15
20
25
30
6
5
4
3
2
1
0
0
Q gs
10
Q gd
20
30
40
50
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 30 A
T J = 25 ° C
60 70
80
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 15 A
t d(off)
t f
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
t d(on)
15
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
400
I D = 49 A
100
10
1
V GS = 30 V
Single Pulse
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
300
200
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
100
0.01
0.01
Package Limit
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4854NST1G | MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL |
| NTMFS4897NFT1G | MOSFET N-CH 30V SO-8FL |
| NTMFS4899NFT3G | MOSFET N-CH 30V 10.4A SO-8FL |
| NTMFS4921NT1G | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8 FL |
| NTMFS4922NET1G | MOSFET N-CH 30V 147A SO8-FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4852NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4854NST1G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4854NST3G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4897NF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
| NTMFS4897NFT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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