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参数资料
| 型号： | NTMS10P02R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 10A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3640pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMS10P02R2GOSDKR |
NTMS10P02R2
10,000
8000
C iss
V GS = 0 V
V DS = 0 V
T J = 25 ° C
6000
C rss
4000
C iss
2000
C rss
C oss
0
10
5.0
0 5.0
10
15
20
? V GS ? V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
5.0
QT
10
4.0
V DS
V GS
8.0
3.0
2.0
Q1
Q2
6.0
4.0
1.0
Q3
I D = ? 10 A
T J = 25 ° C
2.0
0
0
10
20
30
40
50
0
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
1000
1000
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.0 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t f
V DD = ? 10 V
I D = ? 10 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t r
100
t r
t d(on)
100
t f
t d(on)
10
1.0
10
100
10
1.0
10
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B84299D1101B1 | FILTER POWER LINE 100A 250V |
| B84299C1630E3 | FILTER POWERLINE 63A 250/440V |
| MIN02-002DC350J-F | CAP MICA 35PF 300V 5% SMD |
| MIN02-002DC330J-F | CAP MICA 33PF 300V 5% SMD |
| MRF9060LR1 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-360 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMS3P03R2 | 功能描述:MOSFET 30V 3.05A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS3P03R2_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts |
| NTMS3P03R2G | 功能描述:MOSFET 30V 3.05A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4101PR2 | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NTMS4107N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 18 A, Single N−Channel, SO−8 |
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